Funktioner: helt ny och hög kvalitet Förutom huvudminnet innehåller AT45DB081E också två SRAM-buffertar på 256/264 byte vardera. Buffertarna gör det möjligt att ta emot data medan en sida i huvudminnet programmeras om. Interfoliering mellan båda buffertarna kan dramatiskt öka ett systems förmåga att skriva en kontinuerlig dataström. Dessutom kan SRAM-buffertarna användas som extra minne för systemets skrapplatta, och E2 PROM-emulering (bit- eller byteändringsbarhet) kan enkelt hanteras med en fristående trestegs läs-modifiera-skriv-operation. AT45DB081E stöder också det seriella gränssnittet RapidS för applikationer som kräver drift med mycket hög hastighet. Dess 8 650 752 bitar minne är organiserade som 4 096 sidor med 256 byte eller 264 byte vardera. Det AT45DB081E är ett flashminne med minst 1,7 V seriell åtkomst och med sekventiell åtkomst som är idealiskt för en mängd olika digitala röst-, bild-, programkods- och datalagringsapplikationer. Använder ett seriellt gränssnitt för att sekventiellt komma åt dess data. Den enkla sekventiella åtkomsten minskar dramatiskt antalet aktiva stift, underlättar förenklad hårdvarulayout, ökar systemets tillförlitlighet, minimerar växlingsbrus och minskar paketstorleken. Specifikationer: Material: Plast + Metall Storlek: Ca. 5x8 mm/0,19x0,31 tum Not: 1. Tillåt 1-2 cm fel på grund av manuell mätning, se till att du inte har något emot det innan du beställer. 2. På grund av skillnaden mellan olika bildskärmar kanske bilden inte återspeglar objektets faktiska färg. Förpackningen innehåller: 5x minneskrets