IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) är en effekthalvledare designad för att växla högspänning och ström i kraftelektronik. Den kombinerar den höga ingångsimpedansen och den snabba växlingen hos en MOSFET med den höga strömkapaciteten hos en bipolär transistor, vilket möjliggör effektiv effektomvandling. Viktiga fördelar - Hög effektivitet tack vare låga ledningsförluster och snabb kopplingsprestanda - Enkel gate-drivning med relativt låg ingångsström - Robust ström- och spänningshantering för krävande strömkretsar - Finns i diskreta enheter eller effektmoduler för flexibel kylning och integration Funktion och drivning - Fungerar som en snabb, hög eller låg sida i växelriktare, motorstyrningar, nätaggregat och liknande kretsar - Gate-driven styrning med PWM-signaler för att reglera utgång, hastighet eller vridmoment - Konstruerad för tillförlitlig drift under kopplingsbelastningar, med lämplig värmehantering Kompatibilitet och integration - Kompatibel med vanliga gate-drive-kretsar och styrlogik - Kräver korrekt spännings- och strömklassificering för att matcha applikationen - Värmehantering och kylflänsar är viktiga för att bibehålla prestanda Storlek, material och förpackning - Kiselbaserad enhet finns i diskreta format eller integrerade strömmoduler - Erbjuds i flera olika förpackningsstilar för att passa kylning och utrymmesbegränsningar - Används vanligtvis med lämpliga kylflänsar eller termiska gränssnitt för att hantera värme Anmärkningar om prestanda - Lämplig för applikationer med höga dv/dt och transienta belastningar - Prestanda beror på modellbetyg; Välj enligt krav på spänning, ström och kopplingsfrekvens Använda scenarier - 3-fas motordrivsystem inom industriell automation och HVAC - DC-AC-växelriktare eller DC-DC-omvandlare i sol-, vind- eller UPS-kraftsystem - Strömförsörjning för svetsning eller induktionsuppvärmning som kräver tillförlitlig högströmsomkoppling