Funktioner RF-driven: Bias-T-kopplingen använder RF-ström från den aktiva antennen och stöder DC-bias, distanser och koaxialmatning. Lätt att installera: Isolatorn i denna bias-T-koppling är tillverkad av utmärkt RF-kontaktmaterial och gränssnittstypen är monterad, vilket gör den mycket enkel att installera. Högfrekvens: Bias-T-kopplingen har en högfrekvent RF-bredbandsförstärkarmodul som möjliggör förstärkning av frekvenser från 0,1-200 MHz. Denna funktion säkerställer att högfrekventa signaler förstärks och överförs effektivt, vilket förbättrar... Förläng livslängden: Bias-T-kopplingen har en DC-blockerare som förhindrar att likström kommer in i RF-signalen. Denna funktion säkerställer att endast de nödvändiga signalerna överförs, vilket förbättrar systemets tillförlitlighet och förlänger komponenternas livslängd. RF-terminalingång: Utgången från denna bias-T-koppling är isolerad och kommunikationsdata injiceras via RF-terminalen, med en T-formad struktur som möjliggör separering av DC-biassignalen och RF-signalen, vilket möjliggör effektiv signalöverföring. Specifikation: Produkttyp: Bias-T-koppling Material: Aluminiumlegering Driftsparametrar: 1. Frekvensområde: 100 kHz-200 MHz 2. Insättningsförlust: 0,05 dB vid 1 MHz 0,08 dB vid 100 MHz (se parametrarna S11 och S21) för VSWR och överföringsparametrar 3. Maximal spänning: 50 V 4. Maximal ström: 1000 mA 5. RF-kontakt: N-huvud (standard leveranskondensatorände är hane, matningsände är hona) 6. Systemimpedans: 50 Ω kopplingsmetod Paketlista: 1 x Bias-T-koppling Paketlista 1 x Bias-T-koppling