Teknologiska framsteg inom chiputveckling, främst baserade på nedskalning av transistorers funktionsstorlek, hotar att stanna av när vi närmar oss gränserna för konventionell skalning. Till exempel, när antalet elektroner i en enhets aktiva region reduceras till mindre än tio elektroner (eller hål), kommer kvantfluktuationsfel att uppstå och när grindisolatorns tjocklek blir för obetydlig för att blockera kvantmekanisk tunnling kommer oacceptabelt läckage att uppstå. Lyckligtvis finns det sanning i det gamla talesättet att när en dörr stängs öppnas ett fönster någon annanstans. I det här fallet är den fönsteröppningen nanoteknik. Silicon Nanoelectronics tittar på den senaste utvecklingen av nya enheter och material som har stort löfte för skapandet av ännu mindre och kraftfullare chip. Kiselnanoenheter positioneras som särskilt relevanta med tanke på den befintliga kiselprocessinfrastrukturen som redan finns på plats i hela halvledarindustrin och kiselns därmed kompatibilitet med nuvarande CMOS-kretsar. Detta förstärks av det nästan perfekta gränssnittet som kan existera mellan naturlig oxid och kisel. Genom att presentera bidrag från mer än 20 ledande akademiska och företagsforskare från USA och Japan erbjuder Silicon Nanoelectronics en omfattande titt på denna framväxande teknik. Texten innehåller omfattande bakgrundsinformation om fysiken hos kisel-nanokomponenter och praktisk CMOS-skalning. Den behandlar frågor som kvanteffekter och ballistisk transport samt resonant tunnling inom kisel-nanoteknik. Stor uppmärksamhet ägnas åt de mycket viktiga kisel-enelektrontransistorerna och de komponenter som använder dem. Genom att erbjuda en uppdatering av den nuvarande kunskapen inom kisel-nanoelektronik fungerar denna volym väl som en koncis referens för studenter, forskare, ingenjörer och specialister inom olika områden. Språk: Engelska